极紫外光刻技术(EHVL)是以波长11－14纳米的软X射线为曝光光源的微电子光刻技术。中国科学院上海光学精密机械研究所王之江院士指出，根据目前光刻技术的发展形势，EUVL将是大批量生产特征尺寸为70纳米及更细线宽集成电路的主流技术。2001年国际半导体工业协会发布的半导体技术发展蓝图预测，特征线宽为70纳米的半导体器件将于2006年开始进入批量生产，而且根据以往的发展经验看，这个技术节点的实现会比预计的要提前。
国外EUVL方面的研究进展很快。2002年3月美国桑地亚国家实验室宣布，它们研制的EUVL工程测试样机己完成性能测试。欧盟计划于2003年末或2004年初研制成功EUVL原型样机。
为了能够在未来的光刻设备市场上具有一定的竞争力，我国应该尽快开展EUVL的研究。根据我们目前的财力和技术条件，可以选择其中的几个关键技术进行攻关，通过5年左右时间的努力，在EUVL成为半导体光刻技术的主流时，使我国在EUVL方面有某几种单元技术具备相当的国际竞争力。
为此，王之江院士建议：我国应尽快开展EUVL技术研究。根据目前国内己具备的相关技术基础，至少选择如下几个关键技术进行攻关：
1)EUVL光源研究。我国在激光等离子物理研究方面具有坚实的基础，通过进一步的工程化研究可以获得EUVL所需要的光源。
2)全反射式离轴非球面缩倍投影光刻物镜研究。与目前的光学光刻不同，对极紫外光已无透射材料，因为在该波段所有材料的折射率都接近于1，必须采用反射式光学系统。
3)高精度离轴非球面反射镜加工、检测技术研究。EUVL光学系统中的反射面要求具有接近理想的面形和亚纳米量级的表面粗糙度。
4)极紫外多层高反射率光学薄膜制备技术研究。EUVL的反射式光学系统的反射面必须在镀制了高反射率光学薄膜后才能正常工作，反射率越高，则生产效率越高。
中国网2003年3月3日
