新华网东京２月８日电（记者钱铮）日本东芝公司和美国ＳａｎＤｉｓｋ公司日前宣布合作开发出高密度ＮＡＮＤ闪存，并计划分别于年内开始批量生产相关产品。

两家公司７日发布的新闻公报说，它们已利用４３纳米工艺开发出新型１６吉比特ＮＡＮＤ闪存，其密度与利用５６纳米工艺生产的同等容量ＮＡＮＤ闪存相比要高出一倍，这意味着闪存芯片的面积可显著缩小，从而能够降低有关成本。

据悉，两家公司在开发高密度ＮＡＮＤ闪存生产工艺的过程中，采用了一些新技术并调整了有关外围电路的设计，从而大幅度缩减了芯片的面积。

东芝公司打算今年３月开始批量生产新型１６吉比特ＮＡＮＤ闪存，然后于７月到９月间批量生产３２吉比特的产品。ＳａｎＤｉｓｋ公司则计划于今年第二季度生产和发售这两种不同容量的新型ＮＡＮＤ闪存。